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Microscopie électronique en transmission de couches de GaAs déposées par transport réactif à courte distance sur substrats de Ge(100) et de GaAs(100)

N. Guerton
J.P. Dodleit
D. Cossement
R.G. Saint-Jacques
NG

Membre a labase

N. Guerton

Résumé du colloque

L'épitaxie de films minces de GaAs par transport réactif à courte distance a pu être réalisée sur des substrats de GaAs(100) et de Ge(100). La qualité de l'épitaxie dépend essentiellement de l'espacement entre la source et le substrat; les meilleurs résultats ont été obtenus pour un espacement de 2 mm dans le cas de GaAs/Ge(100) et pour un espacement de 0.3 mm dans le cas de GaAs/GaAs(100). Des coupes de phases ont montré beaucoup de dislocations sur des films de GaAs contenant beaucoup de précipités sous forme de défauts d'amplification que ceux déposés sur des substrats de Ge. Des parois d'ampliase (APB) et des précipités plans ont été observés dans les films sur Ge. Puisque les films ne sont pas déformés, la densité des dislocations est réduite par l'annihilation de défauts dans les dernières couches de matériau déposées, au voisinage de la surface, et il est possible d'obtenir une surface lisse et sans défauts. Les films à partir d'échantillons provenant des épitaxies sur Ge ont montré une densité d'assourcement plus faible que les films sur GaAs. Dans les deux systèmes GaAs/Ge et GaAs/GaAs, des précipités de dislocations et de dislocations qui atteignent les solutions transversales de l'arséniure de gallium, ont été déterminés et les poids des films de 1 cm^2 et 10 cm^2 respectivement pour des épaisseurs de 2 µm et 5 µm dans le système GaAs/Ge et de 2 cm^2 et 10 cm^2 respectivement pour des épaisseurs de 2 µm et de 5 µm dans le système GaAs/Ga.

Contexte

Section :
Caractérisation microscopique des matériaux
news icon Thème du colloque :
Caractérisation microscopique des matériaux
host icon Hôte : Université de Sherbrooke

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Titre du colloque :

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