Colloque

Microscopie haute résolution de l'interface GaAs-Ge

N. Guelton

J.P. Dodelet

R.G. Saint-Jacques

Membre a labase

N. Guelton

Résumé du colloque

L'observation de l'interface GaAs-Ge en microscopie électronique haute résolution a montré que la germination du film se faisait couche par couche, selon le mode Volmer-Weber. L'absence, dans le film, de fautes d'empilement qui surviendraient accidentellement sur les facettes {111} des germes, dans le cas du mode de germination 3D, confirme cette hypothèse. Toutes les dislocations de désaccord paramétrique sont dissociées. La 90° est en tête puisque le film de GaAs est en tension sur son substrat. Les parois d'antiphase résiduelles indiquent que le temps et la température du traitement thermique, qui sert à éliminer les parois d'antiphase par une reconstruction particulière de la surface du substrat, doivent être augmentés. Enfin, la forte interaction des dislocations de désaccord avec les domaines d'antiphase est due au fait que l'énergie de déformation élastique emmagasinée dans les films est trop faible pour permettre aux dislocations de désaccord de traverser les parois pour atteindre l'interface et ainsi relaxer le système: la somme de l'énergie de la dislocation et de son énergie motrice s'anti réfère à l'énergie du dipôle de dislocations d'antiphase qui devrait créer la dislocation de désaccord pour traverser la paroi.

Contexte

Section :

Génie des matériaux et métallurgie

Thème du colloque :

Génie des matériaux et métallurgie

Hôte : Université du Québec à Rimouski

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