Colloque

Modèle de HBT distribué petit-signal pour applications aux ondes millimétriques

Rached Hauji

F. M. Ghannouchi

Membre a labase

Rached Hauji

Résumé du colloque

Actuellement la majorité des transistors présentent de bonnes performances aux fréquences micro-ondes. Néanmoins, des mesures fiables et précises des paramètres S constituent toujours un problème pour des fréquences supérieures à 60 GHz. Dans ce cas, il est alors nécessaire de concevoir puis de développer des schémas équivalents, permettant une meilleure prédiction des paramètres S dans la bande millimétrique et même au-delà. Quand les dimensions longitudinales d'un HBT sont du même ordre que la longueur d'onde du signal qu'il s'y propage, il est alors essentiel de prendre en compte les phénomènes de propagation non négligeables le long des électrodes. Ceci est particulièrement vrai en analyse non-linéaire où ces modèles localisés utilisés aux harmoniques de la fréquence fondamentale ne sont plus valides. On assimile alors les électrodes des HBT à des lignes de propagation qui sont introduites dans leurs modèles distribués en alternance avec la partie active du HBT (cellule active) qui représente le modèle localisé du transistor. Chaque élément de la cellule active est multiplié ou divisé, suivant sa place série ou parallèle dans le schéma équivalent localisé, par le nombre de cellules utilisées dans le modèle distribué. La matrice S d'une telle structure est obtenue en déterminant le nombre de cellule minimal pour lequel l'évolution de chaque paramètre S en module et en phase fonction de la fréquence, reste à peu près identique.

Contexte

Section :

Génie électrique

Thème du colloque :

Génie électrique

Hôte : Université du Québec à Rimouski

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