Colloque

Modélisation des HBTs de puissance en utilisant la méthode de scaling

Rached Hajji

F. M. Ghannouchi

Membre a labase

Rached Hajji

Résumé du colloque

La caractérisation des transistors de puissance est laborieuse (effets thermiques) et ne génère pas de résultats précis. De plus, les modèles locaux conventionnels ne prédisent pas avec précision les caractéristiques des HBTs de dimensions importantes. Ces dispositifs possèdent une nature distribuée qui ne peut être incluse dans les modèles localisés. Les travaux récents nous rapportent que la caractérisation des HBTs de dimensions réduites (dispositifs faible puissance) est relativement facile et un modèle localisé est adéquat pour prédire leurs caractéristiques dans un grand nombre de situations. Puisque les HBTs de puissance se sont souvent une connexion parallèle d'un nombre de cellules élémentaires (HBTs faible puissance), il est bien approprié de dériver un modèle correspondant basé sur une caractérisation d'une cellule élémentaire, et de la géométrie physique du dispositif. Ces deux outils permettent d'avoir un modèle adéquat, pour les HBTs de puissance, permettant de prédire ses caractéristiques petit signal et grand signal sans avoir recours à des caractérisations délicates de ces dispositifs.

Contexte

Section :

Génie électrique

Thème du colloque :

Génie électrique

Hôte : Université du Québec à Montréal

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