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Résumé du colloque
La possibilité de modéliser des structures de laser semiconducteur avant d'en débuter la fabrication est un aspect important de la fabrication de tout type de dispositif photonique. Il existe des simulations complexes qui sont orientées vers la modélisation de la performance des dispositifs plutôt que de servir de guide pour la conception efficace de dispositifs. Notre méthode se base sur une approche unidimensionnelle, permet néanmoins d'optimiser la structure du nous effectuons la croissance et que nous fabriquons. Nous avons mis au point une approche matricielle pour le calcul de l'indice de réfraction effectif du guide d'onde et nous permet d'inclure les sauts de couches que nécessaire. Cette approche permet même d'obtenir approximativement l'effet de la présence de puits quantiques dans le guide d'onde. Ce modèle calcule le facteur de confinement dans les puits quantiques, les propriétés du dispositif laser (tel que le courant de seuil) et permet d'optimiser la structure en accord avec ces résultats (par exemple, obtenir le nombre de puits quantiques optimal). Un calcul numérique (encore un par une approche matricielle) du coefficient de réflexion du réflecteur de Bragg nous permet d'inclure les effets de sauts de phase inévitables dans la fabrication du réseau par lithographie par faisceau d'électrons, alors que le réseau complet est construit à partir de plusieurs éléments.
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