Colloque

Modélisation d'un transistor micro-ondes utilisant des mesures "load-pull"

Rached Hajji

Fadhel M. Ghannouchi

Renato G. Bosiio

Membre a labase

Rached Hajji

Résumé du colloque

Pour déterminer le modèle électrique d'un transistor micro-ondes, l'approche actuelle utilise des mesures DC et les paramètres S du transistor en petit signal avec des conditions de polarisation différentes, mais les conditions d'opération à grand signal sont différentes à celles des conditions utilisées pour l'obtention du circuit équivalent, par conséquent la précision est affectée. L'objectif principal de ce projet est de modéliser un transistor qui peut opérer efficacement en RF et à grand signal. Pour se faire une base de données des mesures RF à grand signal ("load-pull"), dans des conditions de polarisation et de fréquences différentes, est utilisée pour nous permettre d'identifier les paramètres linéaires et non linéaires du transistor. La technique "Harmonic Balance" est utilisée pour la simulation non linéaire du circuit équivalent du transistor. En conclusion, pour minimiser les fonctions d'erreur entre les mesures et les résultats obtenus par "Harmonic Balance" et les résultats expérimentaux obtenus par "load-pull", des sous routines d'optimisation sont développées et appelées jusqu'à l'obtention d'un modèle optimal du transistor.

Contexte

Section :

Génie électrique

Thème du colloque :

Génie électrique

Hôte : Université Laval

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Titre du colloque :

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