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Résumé du colloque
Le transistor bipolaire à hétérojonctions (HBT: "Heterojunction Bipolar Transistor") fabriqué avec des matériaux du groupe III-V (GaAlAs/GaAs), présente plusieurs avantages, vis à vis autres types de transistor, tels que: opération à des fréquences plus élevées, gain en courant, puissance de sortie et tension de claquage élevées et dimensions physiques réduites. Tous ces facteurs laissent croire que ce type de transistor est adapté pour les circuits de communications numériques dans la bande EHF aussi bien que dans la bande UHF pour les communications mobiles. Les modèles électriques existants des HBTs sont des circuits petit-signal. Pour pouvoir simuler le circuit équivalent d'un HBT en régime grand-signal, le développement d'un modèle non-linéaire sera important. La modélisation sera accentuée surtout sur les éléments intrinsèques du HBT (Voir figure). Cette modélisation sera basée sur différents types de mesures, telles que mesures DC I-V, paramètres S, mesures load-pull multi-harmoniques, etc...
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