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Modification de surface du silicium monocristallin par faisceau de protons : application à la fabrication des substrats SOI ultra minces

Oussama Moutanabbir
Bernard Terreault
Guy Ross
F. Schiettekatte
OM

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Oussama Moutanabbir

Résumé du colloque

L'implantation des ions d'hydrogène prend de plus en plus de l'importance dans les technologies exigées par le développement des générations futures de dispositifs électroniques. La technologie Smart-Cut®, a permis la fabrication des substrats SOI (silicium sur isolant) de meilleure qualité. Ce procédé est basé sur le phénomène de formation de « cloques » et de « lamelles » à la surface des matériaux sous l'effet du bombardement ionique. Nous avons trouvé, en utilisant des ions de basse énergie, que la réalisation de ces microstructures à des dimensions < 100 nm pose des problèmes particuliers qui défient les modèles présentés pour des implantations à des énergies plus élevées. Un effet inattendu de la fluence et un effet isotopique géant ont été trouvés, qui peuvent avoir des implications dans la physique du silicium ainsi que dans l'ingénierie des microdispositifs. Afin d'expliquer ces deux effets, des mesures de spectroscopie Raman, de spectrométrie de désorption thermique, de microscopie de force atomique, de ERDA et de RBS/Canalisation ont été effectuées sur des échantillons Si-100 implantés hydrogène et/ou deutérium à 5 keV dans le gamme de fluences de 1x10 16 - 1x10 17 ion/cm2. Les résultats préliminaires montrent que ces effets sont associés à une sorte d'augmentation de la stabilité de la liaison Si-H/D.

Contexte

Section :
Science et ingénierie des plasmas
news icon Thème du colloque :
Science et ingénierie des plasmas
host icon Hôte : Université du Québec à Montréal

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Titre du colloque :

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