Colloque

Modification des propriétés de l'enregistrement optique de l'information dans des couches minces de Te par implantation d'ions He+

Jacques Beauvais

Pierre Galarneau

E.J. Knystautas

Roger A. Lessard

Membre a labase

Jacques Beauvais

Résumé du colloque

Le seuil d'énergie d'écriture avec un laser YAG doublé à 532 nm, d'impulsions de 15 ns, dans des couches minces de 50 nm de tellurium évaporées sur des substrats de verre peut être modifié par implantation d'ions d'hélium. Un abaissement du seuil d'écriture est observé avec une augmentation de la dose implantée à une valeur critique Dc. De la dose de 10^16 ions/cm^2 à ce maintenant été mesurée, au-dessus de laquelle le seuil d'écriture diminue. Des mesures des coefficients de réflexion et de transmission des couches minces révèlent un changement abrupt de la variation du paramètre 1 - (R + T) avec la dose implantée au point critique Dc. De plus, des observations faites à l'aide d'un microscope électronique à balayage démontrent l'apparition de bulles d'hélium dans les couches minces à la dose critique Dc.

Contexte

Section :

Physique

Thème du colloque :

Physique

Hôte : Université Laval

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