Nature des états électroniques dans des points quantiques auto-assemblés sondés par Magnéto-Photoluminescence : les différences des systèmes InAs/GaAs et InAs/InP
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Résumé du colloque
Nous présentons pour la première fois des mesures de Magnéto-Photoluminescence effectuées sur une couche de boîtes quantiques (BQ) auto-assemblées InAs déposées sur un substrat d'InP. Contrairement aux résultats obtenus lorsque la déposition est effectuée sur un substrat de GaAs, les différentes raies d'émission associées à l'ensemble de BQs ne montrent aucune levée de dégénérescence lorsqu'on applique un champ magnétique intense (~16T). Ce résultat prouve que les raies d'émission observées ne proviennent pas d'états excités confinés dans une BQ. Au contraire, les différentes raies tirent leur origine de la présence de différentes familles d'îlots quantiques, chacune caractérisée par sa propre épaisseur correspondant à un nombre entier de monocouches atomiques. On obtient par ailleurs que les familles de BQ plus épaisses montrent un décalage plus important lors de l'application d'un champ magnétique.
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