Colloque

Nouvelle technique de caractérisation de bruit des transistors micro-ondes utilisant un adaptateur impédance non répétable

Di-Luân Lê

F. M. Ghannouchi

Membre a labase

Di-Luân Lê

Résumé du colloque

La caractérisation en bruit des transistors micro-ondes consiste à déterminer les quatre paramètres de bruit dont, par souci le facteur de bruit minimal Fmin, l’impédance complexe de la source Zopt, associée à Fmin, et l’instance de bruit Rn. Ainsi, il suffit de mesurer le facteur de bruit du transistor sous test pour au moins quatre impédances de source différentes et ensuite résoudre l’ensemble d’équations pour en déduire les quatre paramètres de bruit. Pour obtenir une bonne précision de la mesure, la technique conventionnelle emploie toujours un adaptateur automatique de bonne répétabilité, ce qui est un équipement thermo-réglé, en conjonction avec un analyseur à réseau de bruit. Un système est coûteux et donc non accessible pour la plupart des compagnies micro-ondes et des concepteurs. Cette communication propose une nouvelle technique de caractérisation en bruit utilisant un adaptateur impédance mécanique non répétable avec un réflectomètre six-port incorporé. L’impédance de l’adaptateur peut être mesurée précisément par la jonction six-port. Le bruit est généré par une source de bruit commercial. Étant simple au point de vue technique, et proprement calibré, ce système permet à obtenir des mesures de bruit de précision comparables à système mesure de bruit conventionnel, pour un coût relativement bas.

Contexte

Section :

Génie électrique

Thème du colloque :

Génie électrique

Hôte : Université du Québec à Montréal

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Titre du colloque :

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