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Optimisation de la performance d'un mélangeur résistif à transistor à effet de champ pour des applications en communication par satellite

Di-Luân Lê
F. M. Ghannouchi
DL

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Di-Luân Lê

Résumé du colloque

Récemment, le développement des transistors à effet de champ à barrière Schottky (MESFET) et à l'électron à haute mobilité (HEMT) a ouvert la possibilité de réaliser des mélangeurs actifs avec une performance élevée, capable d'opérer jusqu'à 50 GHz. D'une manière générale, on peut classer les mélangeurs actifs à topologie simple en trois configurations: 1) mélangeur à la grille 2) mélangeur au drain et 3) mélangeur résistif. Le mélangeur résistif, bien qu'il présente souvent une perte de conversion élevée, est très attrayant pour des applications en communication par satellite à cause de sa très faible distorsion des produits d'intermodulation. Cependant, le concept de ce mélangeur est assez complexe et aucune méthode de conception systématique n'a été éditée pour un tel mélangeur. Cette communication présente une approche expérimentale pour caractériser un transistor opérant en mode mélangeur résistif. Cette approche permet ainsi de déterminer les impédances optimales qu'on doit présenter aux interfaces de sortie du transistor pour minimiser la perte de conversion du mélangeur.

Contexte

Section :
Génie électrique
news icon Thème du colloque :
Génie électrique
host icon Hôte : Université du Québec à Rimouski

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Titre du colloque :

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