Colloque

Optimisation du réseau de terminaison pour la conception d’un oscillateur diélectrique

Stéphanie Jetté

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Stéphanie Jetté

Résumé du colloque

Les résonateurs diélectriques peuvent être utilisés dans divers circuits micro-ondes, par exemple: les oscillateurs micro-ondes, des filtres micro-ondes à bande étroite, des détecteurs de radar, des détecteurs de vitesse, des téléphones cellulaires, et des applications pour les systèmes de positionnement global (GPS). Cette étude évalue l’agencement optimale pour le couplage de résonateurs diélectriques nécessaire lors de la conception d’un oscillateur. La méthode de couplage choisie pour cette étude est la technique de “offset straight microstrip line”. Cette méthode fut sélectionnée car une ligne micro-ruban, ou une boucle de couplage, peut facilement exciter le mode TE01 d’un résonateur diélectrique. Deux substrats de différentes épaisseurs, soit le substrat RT/Duroid 5880 de 0.031” et 0.062”, furent considérés pour l’implémentation du réseau de terminaison afin de présenter une impédance appropriée à la sortie du transistor de l’oscillateur diélectrique. La conception générale d’un oscillateur diélectrique requiert un résonateur diélectrique. Cette étude évalue les caractéristiques de deux configurations distinctes pour le réseau de terminaison, soit une configuration à résonateur simple et une combinaison à résonateur double. Les résonateurs diélectriques évalués sont des résonateurs diélectriques cylindriques de Trans-Tech, série C8300. La fréquence de résonance choisie est de 3.3 GHz. Les résultats expérimentaux indiquent que la combinaison de deux résonateurs diélectriques maximise la magnitude du coefficient de réflexion obtenue à 0.94. Un coefficient de réflexion maximal de 0.61 fut obtenu avec un résonateur diélectrique couplé à une ligne micro-ruban. Cette étude conclut que, pour un oscillateur diélectrique, le couplage de deux résonateurs diélectriques de part et d’autre d’une ligne micro-ruban optimise le coefficient de réflexion nécessaire pour la conception du réseau de terminaison à la sortie du transistor.