Colloque

Perturbation de courant par faisceau électronique dans un transistor à effet de champ à l'arséniure de gallium

P. Lavallée

N. Fortier

L. Lamarche

E. Dermardiros

Membre a labase

P. Lavallée

Résumé du colloque

La microscopie électronique à balayage usuelle permet de détecter les défauts de surface des dispositifs semi-conducteurs. La méthode décrite ici vise à révéler des faiblesses cachées dans la construction intérieure du transistor à effet de champ à barrière de Schottky. On observe la perturbation du processus dans le courant drain source par l'incidence d'un faisceau d'électrons sur diverses régions du transistor. Cette perturbation est un effet unique qui ne s'explique qu'en faisant appel aux modèles les plus récents de fonctionnement de ces transistors.

Contexte

Section :

Physique

Thème du colloque :

Physique

Hôte : Université Laval

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