Colloque

Photoionisation d'impuretés en présence d'un champ électrique statique

Guy Lamouche

Yves Lépine

Membre a labase

Guy Lamouche

Résumé du colloque

Nous étudions le processus de photoionisation d'une impureté en présence d'un champ électrique statique dans un semi-conducteur. Cette condition se retrouve dans nombre de techniques de caractérisation optique qui impliquent des défauts à l'intérieur d'une jonction. Le potentiel de l'impureté est décrit dans le formalisme du défaut quantique. La transition optique est traitée avec la règle de Fermi dans l'approximation dipolaire. Nos prévisions des résultats numériques de même que des expressions asymptotiques. Nous calculons montrent que les effets du champ électrique statique sur la section efficace de photoionisation sont: 1) apparition d'une queue exponentielle sous la barrière d'ionisation et ii) superposition d'oscillations sur la section efficace de photoionisation sans champ pour des photons d'énergie plus que l'énergie d'ionisation. Ces effets sont similaires aux effets Franz-Keldysh reliés au problème d'une transition interbande en présence d'un champ électrique statique. Leur amplitude est plus importante lorsque la polarisation des photons incidents est parallèle au champ statique que lorsqu'elle est perpendiculaire. Nous considérons aussi la contribution des phonons optiques au processus. Cette contribution est surtout importante pour les matériaux polaires et elle a généralement pour effet de modifier les structures dans les courbes d'absorption optique. Ceci nous permet de mieux définir les conditions expérimentales permettant l'observation des effets du champ électrique statique.

Contexte

Section :

Physique

Thème du colloque :

Physique

Hôte : Université du Québec à Montréal

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Titre du colloque :

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