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Photoluminescence des excitons libres dans le GaTe

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J. Z. Wan

Résumé du colloque

Le GaTe est un matériau lamellaire dont les propriétés optiques sont mal connues. Il cristallise dans une structure monoclinique (groupe d'espace C2^3) et sa cellule unitaire comporte 12 molécules. Nous avons synthétisé des monocristaux de GaTe par une technique de transport et effectué des mesures de photoluminescence à basse température en utilisant la raie à 514.5 nm d'un laser Ar continu. À basse puissance excitatrice (P_max < 1 W cm^-2), les spectres sont dominés par deux pics étroits situés aux énergies X_1= 1,7799 eV et X_2= 1,7784 eV. La largeur à mi-hauteur de ces pics est inférieure à 0,3 meV, ce qui atteste la haute pureté des échantillons. Le pic X_1 est polarisé parallèlement à l'axe b du GaTe tandis que le pic X_2 est non-polarisé. Nous attribuons ces deux pics aux états singulet et triplet de l'exciton libre (n=1). A plus haute puissance (P_max = 25 W cm^-2), nous observons un autre pic à E_2=1.793 eV que nous attribuons à l'état n=2 de l'exciton.

Contexte

Section :
Physique
news icon Thème du colloque :
Physique
host icon Hôte : Université de Sherbrooke

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Titre du colloque :

Physique

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