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Résumé du colloque
La photoluminescence est une technique puissante pour sonder la structure de bande des semiconducteurs. Elle permet aussi d'étudier les impuretés de ces mêmes matériaux, et ce, même lorsqu'elles sont présentes à de très faibles concentrations. Dans le cas des semiconducteurs III-V, un champ magnétique intense permet de séparer suffisamment les niveaux de Landau pour permettre l'étude de la non-parabolicité de la bande de conduction. Le champ magnétique permet aussi de séparer les différentes composantes Zeeman d'une raie d'impureté permettant ainsi d'en identifier sa nature chimique. Nous expliquerons ici le principe de fonctionnement d'un système utilisant une fibre optique qui permet d'effectuer des mesures de photoluminescence dans un champ magnétique pouvant atteindre 16 teslas. Des résultats obtenus sur des échantillons de GaAs/Si seront présentés.
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