Colloque

Photosensibilité de Ge : SiO2 implanté à haute énergie

Mourad Essid

John L. Brebner

Jacques Albert

Membre a labase

Mourad Essid

Résumé du colloque

La silice dopée au germanium peut être rendue photosensible par l'implantation de sa structure avec des ions de silicium à haute énergie. Les bandes d'absorption ainsi créées peuvent être blanchies par l'irradiation au laser excimer. Les échantillons utilisés pour ces mesures sont constitués d'une couche de silice dopée à 7% de germanium et épaisse de 20 microns déposée sur un substrat de silice. Ces échantillons sont implantés avec des ions de silicium à une énergie de 5 MeV. Comme résultat de l'implantation ionique, les dommages causés par les collisions énergétiques des ions avec la structure ont pour conséquence de créer une compaction locale causant un changement de l'indice de réfraction de l'ordre de 3 x10-3 dans une région de 3 microns sous la surface créant ainsi un guide d'onde planaire. Les mesures d'absorption montrent l'apparition d'une bande intense autour de 240 nm (5.16 eV), une autre autour de 175 nm (7.1 eV) et une troisième bande autour de 200 nm (6.2 eV) qu'on ne peut pas voir avant d'essayer de lisser les spectres. Ces bandes d'absorption peuvent être blanchies différemment avec les deux lasers Excimer ArF(193 nm) et KrF(248 nm). Nous voulons, en analysant ces mesures, étudier l'effet de l'implantation ionique et des lasers sur le changement en absorption de la silice dopée au germanium et la variation de son indice de réfraction.

Contexte

Section :

Optique guidée et photonique 4

Thème du colloque :

Optique guidée et photonique 4

Hôte : Université McGill

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Titre du colloque :

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