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Photosensibilité induite par implantation ionique dans la silice pure : Effets de la dose implantée et du type de dommage produit par le bombardement de silicium

Marc Verhaegen
John Low Brebner
Jacques Albert
MV

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Marc Verhaegen

Résumé du colloque

Couramment utilisée dans la fabrication de dispositifs optiques, la photosensibilité est une propriété encore mal comprise en particulier dans les verres à base de silice. Actuellement, l'implantation ionique est la seule technique capable de rendre photosensible la silice pure non-dopée. Dans ce travail, nous avons étudié la photosensibilité en fonction de la dose implantée entre 1e13 ions/cm2 et 1e16 ions/cm2. La photosensibilité étant liée aux défauts présents dans la silice, nous avons fait varier l'énergie des ions incidents entre 1 MeV et 30 MeV de manière à produire préférentiellement des défauts par ionisation ou par collision atomique. L'exposition de la silice à un rayonnement laser à 193nm (laser Excimer ArF) réduit l'absorption optique induite par implantation entre 3eV (400nm) et 8eV (155nm). Conjointement à cette variation d'absorption, nous observons une variation d'indice de réfraction de l'ordre de 0.1%. Nous avons finalement effectué une analyse de Kramers-Kronig de nos mesures d'absorption afin de déterminer la contribution de chaque bande d'absorption à la variation d'indice de réfraction mesurée.

Contexte

Section :
Physique
news icon Thème du colloque :
Physique
host icon Hôte : Université de Trois-Rivières

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Titre du colloque :

Physique
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