Colloque

Préparation de CuInSe2 selon la méthode de Bridgman

Clifford Champness

Ishiang Shih

Lap Yip

Wen-Shen Weng

Ziad Shukri

Membre a labase

Clifford Champness

Résumé du colloque

Le composé de chalcopyrite CuInSe2 est l'un des matériaux les plus prometteurs pour la fabrication de cellules photovoltaïques à couches minces, mais il faut en connaître beaucoup mieux les propriétés, particulièrement en ce qui a trait aux déviations par rapport à la stœchiométrie et au dopage. Notre laboratoire étudie donc les propriétés de ce matériau sous forme «bulk», par croissance de CuInSe2 monocrystallin selon la méthode de Bridgman; un certain nombre de lingots ont été ainsi préparés. À de faibles écarts par rapport aux proportions stœchiométriques des éléments Cu, In et Se, on obtient après croissance un chalcopyrite uniphasé habituellement de type p. Toutefois, la conductivité de type n ne s'observe que dans une gamme de compositions étroites. Lorsque la déviation est plus importante, on observe d'autres phases : CuIn3 à 5 % de Cu excédentaire, In2Se3 et CuIn2 à 7 à 8 % d'In excédentaire et Se à 6 % de Se excédentaire.

Contexte

Section :

Physique

Thème du colloque :

Physique

Hôte : Université de Sherbrooke

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