Colloque

Préparation et caractérisation des films minces à semiconducteurs colloïdaux SnO2

Idriss Bedja

Prashant V. Kamat

Surat Hotchandani

Membre a labase

Idriss Bedja

Résumé du colloque

Les films semiconducteurs développés à partir des semiconducteurs colloïdaux ont attiré une très grande attention ces 10 dernières années. La technique utilisée est relativement simple et moins coûteuse comparée à la déposition par vapeur chimique ou par pulvérisation épitaxiale. Nous avons, dans cette étude, préparé et caractérisé des films minces transparents SnO2 pour le développement d'un nouveau matériau d'électrode pour les cellules photoélectrochimiques. La diffraction à rayons-X et le microscope à balayage d'électrons ont montré la structure nanocristalline des colloïdes SnO2 (30 de diamètre). Ces films possèdent d'excellentes propriétés photoélectrochimiques avec une efficacité de conversion photocourant-sur-photon incident (IPCE) de 20% à 280 nm. La puissance optimale a été obtenue pour une épaisseur de 0.5 µm du film SnO2. Ces films, de plus, possèdent une structure hautement poreuse ce qui leur permet d'adsorber à leur surface, avec une grande efficacité, des molécules organiques sensibilisatrices comme Ru(2,2'-bipyridine-4,4'-acide dicarboxylique). Un maximum d'IPCE de 22% à 460 nm a été obtenu avec cette molécule.

Contexte

Section :

Physique

Thème du colloque :

Physique

Hôte : Université du Québec à Montréal

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