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Progrès réalisés dans la croissance de CuInSe2 selon la méthode verticale de Bridgman

Ziad Shukri
Clifford Champness
ZS

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Ziad Shukri

Résumé du colloque

Le semi-conducteur CuInSe2 est un matériau important pour le développement de cellules photovoltaïques à couche mince, en raison de son fort coefficient d'absorption optique et de sa stabilité. À l'aide d'un procédé de Bridgman à une ampoule, nous avons produit des lingots de CuInSe2 exempts de microfractures et de cavités contenant des monocrystaux assez gros pour se prêter à diverses mesures et des substrats de type p propres à la fabrication de cellules photovoltaïques d'essai. Le recours au procédé à une ampoule tant pour la synthèse du composé à partir des éléments de base que pour la croissance des cristaux prévient la perte de sélénium et permet d'obtenir des lingots de conductivité uniforme. L'ajout de nitrure de bore empêche, par "gettering", le ligand d'adhérer à la paroi de quartz de l'ampoule après la synthèse. Des expériences réalisées à l'aide de cuivre et d'indium de grande pureté (99,999%) préchauffés sous vide semblent indiquer que l'agent responsable de l'adhérence dans l'ampoule est un ingrédient gazeux présent dans l'un de ces éléments. On a observé un clivage dans les plans (112) et (101).

Contexte

Section :
Physique
news icon Thème du colloque :
Physique
host icon Hôte : Université du Québec à Chicoutimi

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Titre du colloque :

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