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Résumé du colloque
Plusieurs travaux ont été effectués sur les films minces semi-conducteurs dans le but d'obtenir un film transparent et faiblement résitif ; cependant, peu d'études ont porté sur la densité de dopant comme paramètre affectant l'efficacité de photoconversion. Afin d'atteindre cet objectif, nous avons examiné les films minces de SnO2 préparés par pulvérisation réactive sous différentes conditions expérimentales ; l'épaisseur du dépôt et la quantité d'oxygène présentes lors de la pulvérisation. En agissant sur l'épaisseur du film de SnO2, nous observons par microscope optique la formation de cristaux lorsque l'épaisseur du film se rapproche de 2 000 . Les mesures de résistivité et de transmittance appuient l'hypothèse d'une augmentation de la mobilité des électrons avec l'augmentation de la densité de l'épaisseur. Par conséquent, il semble que la densité de dopant soit liée à la structure du film. Quant à l'effet de la quantité d'oxygène sur le film mince de SnO2 (125 ), on note l'exigence d'une zone exacte à laquelle la densité de dopant est proportionnelle à la quantité d'oxygène. Ainsi, sans modifier la structure du film, il est possible de varier la quantité de dopant, ce qui permettrait d'examiner l'effet sélectif du dopant sur le rendement quantique de photoconversion.
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