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Propriétés des phonons optiques dans le Ga_xIn_1-xSe

GS

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G. Saintonge

Résumé du colloque

Des mono-cristaux de Ga_xIn_1-xSe, dans les régions riches en indium et en gallium, ont été produits dans notre laboratoire par la méthode de Bridgman. Des mesures de réflectivité, effectuées au laboratoire de S. Jandl à l'université de Sherbrooke, ont été faites à la température de la pièce de 50cm^-1 à 450cm^-1 dans le but d'étudier le comportement des phonons optiques en fonction de la composition de l'alliage. Un comportement à deux modes est observé sauf pour x=0,98 qui suit l'oscillateur correspondant à celui du GaSe est présent. Ces résultats ont été étudiés: en premier lieu par une analyse de Kramers-Kronig et ensuite par un lissage de la forme l'actorisée de la constante diélectrique. De ces traitements, des valeurs pour les phonons optiques transversaux et longitudinaux sont déduites de même que leur amortissement respectifs; les constantes ε∞ et ε0 sont aussi calculées. Par la suite, le modèle de Jahne est appliqué à ce système et finalement, une étude des critères d'apparition des systèmes à un ou à deux modes est présentée.

Contexte

Section :
Physique
news icon Thème du colloque :
Physique
host icon Hôte : Université du Québec à Trois-Rivières

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Titre du colloque :

Physique

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