Colloque

Propriétés du Si amorphe produit par décharge hyperfréquence

C. Mailhot

S. Sapieha

A. Yelon

A.M. Wrobel

M.R. Wertheimer

Membre a labase

C. Mailhot

Résumé du colloque

L'étude des matériaux semi-conducteurs amorphes, et particulièrement le silicium, suscite un intérêt croissant de par leur application potentielle comme dispositifs de photoconversion (pile solaire photovoltaïque). Les efforts orientés vers la production de tels matériaux possédant une résistivité intrinsèque et un gap d'énergie élevés. Les recherches antérieures ont démontré que les matériaux de type Si-H produits par couches minces d'un alliage Si-H produit à partir de la décomposition d'une (SiH4) dans une décharge hyperfréquence. Nous avons suivi une approche semblable en utilisant, pour la première fois, une décharge hyperfréquence (2.45 GHz) pour la décomposition de SiH4. Les matériaux obtenus présentent des propriétés moléculaires et électriques intéressantes. La conductivité électrique varie de 10^-10 à 10^-6 (ohm.cm)^-1 pour des températures de 300K à 400K et une activation énergétique de 0.45 eV. Une analyse spectrophotométrique infra-rouge a permis une information plus exacte de la structure du matériau.

Contexte

Section :

Physique

Thème du colloque :

Physique

Hôte : Université de Montréal

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Titre du colloque :

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