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Propriétés électriques de nanostructures à base de semiconducteurs

Sébastien Fortin
Andy Sachrajda
SF

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Sébastien Fortin

Résumé du colloque

Les progrès technologiques récents en matière de croissance épitaxiale et de techniques de lithographie de semiconducteurs ont permis la réalisation de structures aux dimensions nanométriques qui sont conçues pour travailler à un niveau quantique. Dans ce travail, nous présentons des mesures de propriétés de transport réalisées sur des structures comprenant deux points de contact quantiques (PCQ) en série. Sous champ magnétique intense, le transport d'électrons dans ces structures s'effectue par des canaux de Landau longitudinaux (ou états de bord), la configuration utilisée s'avère être idéale pour l'étude des interactions entre ces états de bord. Nous avons étudié le régime adiabatique (i.e. à champ magnétique suffisamment élevé pour que les états de bord n'interagissent pas entre eux), et le régime non-adiabatique. Nous avons découvert une gamme de champ magnétique intermédiaire où un équilibre complet se forme entre un nombre restreint d'états de bord. Nous discutons aussi des effets des fluctuations de potentiel sur le collimation des électrons à champ magnétique nul.

Contexte

Section :
Physique
news icon Thème du colloque :
Physique
host icon Hôte : Université de Montréal

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Titre du colloque :

Physique
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Thème du colloque :

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