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Résumé du colloque
Le semiconducteur Cd3As2 a des propriétés assez particulières, ayant une structure de bande inversée et une très grande mobilité électronique. Cependant, la grande densité de porteurs (électrons) toujours présente masque l'effet du minimum de la bande de conduction dans les propriétés physiques, ce qui empêche l'apparition de phénomènes qui normalement seraient spectaculaires. Une façon d'étudier le bas de la bande de conduction est de créer des niveaux de Landau par l'application d'un champ magnétique intense. L'admission infrarouge a donc été mesurée dans des champs magnétiques allant jusqu'à 7 T. La lumière était polarisée circulairement, soit à droite soit à gauche, afin de mettre en évidence l'effet du spin des électrons. Une grande différence d'amplitude des oscillations a été observée pour des deux polarisations conformément à nos calculs théoriques. On présentera les résultats obtenus pour le facteur g du Cd3As2 ainsi que les probabilités calculées et observées pour les transitions entre sous-niveaux.
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