Colloque

Propriétés magnéto-optiques interbandes de GaInAs/InP

Sylvie Lasserre

Jean Berens

Carla Miner

Marcel Aubin

Guy Bernier

Membre a labase

Sylvie Lasserre

Résumé du colloque

Les alliages GaInAs déposés sur un substrat de InP présentent un intérêt technologique important pour les télécommunications par fibre optique. Nous présentons ici une étude de magnéto-optique au niveau de la bande interdite pour une couche de Ga.53In.47As épitaxie sur un substrat de InP. Des mesures de transmission, de photocourant et de photovoltage réalisées à 4.2 K dans un champ magnétique atteignant 14 teslas ont été effectuées. Les résultats obtenus donnent accès à la masse effective réduite des porteurs de la bande de conduction et de la bande de valence, à l'énergie de la bande interdite à champ nul ainsi qu'à l'énergie de liaison de l'exciton libre. Nous discutons également du comportement en champ magnétique des différents niveaux de Landau et des excitons qui leur sont associés.

Contexte

Section :

Physique

Thème du colloque :

Physique

Hôte : Université Laval

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