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Propriétés optiques des excitons libres dans le GaTe

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J. Z. Wan

Résumé du colloque

Nous avons synthétisé des monocristaux de GaTe, qui cristallisent dans une structure monoclinique, par une technique de transport et effectué des mesures de photoluminescence à basse température en utilisant un laser continu et des mesures de transmission en utilisant un spectromètre à transformée de Fourier. Les spectres d'émission sont dominés par deux pics étroits situés aux énergies X1=1,7799 eV et X2=1,7784 eV. Le pic X1 est polarisé perpendiculairement à l'axe b du GaTe tandis que le pic X2 est polarisé parallèlement le long de l'axe b. Nous attribuons ces deux pics aux états singulet et triplet de l'exciton libre (n=1). La largeur à mi-hauteur et l'énergie de ces pics évolue linéairement avec la température de 5 à 25 K, ce qui signale la contribution des phonons acoustiques dans ces échantillons à haute pureté. Le phonon optique à 14 meV devient important seulement à haute température (> 30 K). Les spectres de transmission nous montrent aussi que l'exciton n = 1 est un doublet avec un autre pic à 1.7915 eV que nous attribuons à l'état n=2 de l'exciton.

Contexte

Section :
Physique
news icon Thème du colloque :
Physique
host icon Hôte : Université de Montréal

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Titre du colloque :

Physique

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