Colloque

Réalisation et caractérisation de contacts ohmiques à faible résistance spécifique

Gilbert Lefebvre

Romain Maciejko

Habib Mani

Membre a labase

Gilbert Lefebvre

Résumé du colloque

L'abaissement de la résistance de contact constitue une des optimisations nécessaires à l'amélioration des performances statiques et dynamiques des composants électroniques et optoélectroniques à base d'InP. Une étude détaillée de la technologie de contact nous a permis de réaliser un contact ohmique non allié, faiblement résistif, sur une couche de contact InP fortement dopée. La résistance spécifique de contact a été déterminée grâce à la méthode des quatre pointes. Sa valeur a été minimisée en fonction du choix de l'alliage ainsi que de la nature, du temps et de la température de recuit.

Contexte

Section :

Optique guidée et photonique 3

Thème du colloque :

Optique guidée et photonique 3

Hôte : Université du Québec à Montréal

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