Colloque

Récents développements en imagerie infrarouge au CNRC

Emmanuel Dupont

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Emmanuel Dupont

Résumé du colloque

Depuis 3 ans, nous développons au CNRC une nouvelle technologie pour l'imagerie infrarouge. Les techniques de croissance des semiconducteurs III-V permettent l'élaboration de dispositifs optoélectroniques de grande surface avec une densité minimale de défauts cristallins. Dans le cas présent, en épitaxie par jets moléculaires, un détecteur quantique GaAs/AlGaAs de type QWIP est intégré à une diode électroluminescence (LED) en GaAs. Les charges libres générées par le photoconducteur se recombinent avec les trous dans la LED. Ainsi, une radiation moyen-infrarouge peut être convertie en un signal optique proche-infrarouge. Ce signal est ensuite lu par un détecteur standard au silicium. La diffusion des porteurs est bien inférieure à la longueur d'onde incidente, si bien qu'aucune pixellation n'est nécessaire sur le dispositif QWIP-LED. Différents aspects du dispositif seront discutés comme l'élimination des défauts cristallins, la faisabilité d'une détection bicolore, l'efficacité externe de la LED, le couplage optique. Nous présenterons des images infrarouges (converties de 9µm à 0.8µm) obtenues par une dispositif QWIP-LED d'un 1cm^2. Jusqu'à présent, la différence de température équivalente au bruit est de 50K en raison du faible couplage optique.

Contexte

Section :

Matériaux et composants photoniques

Thème du colloque :

Matériaux et composants photoniques

Hôte : Université de Sherbrooke

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Titre du colloque :

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