Colloque

Recombinaison bimoléculaire dans le a-Si:H mise en évidence par des mesures de temps de vol

R. Basset

P. Jacques

J.L. Brebner

Membre a labase

R. Basset

Résumé du colloque

Des mesures de mobilité de dérive des électrons ont été réalisées sur des échantillons de silicium amorphe hydrogéné préparés par pulvérisation cathodique. Nous observons une décroissance rapide du transitoire de courant à des temps qui suivent immédiatement la génération des porteurs. De plus, l'amplitude du signal de courant en fonction du champ appliqué suit un comportement non-linéaire. Ces anomalies ne peuvent être associées ni au transport direct des électrons dans la bande, ni à des effets de charges spatiales et ni à un mécanisme de transport dispersif. Nous avons démontré que les conditions de transport des porteurs en incluant un mécanisme de recombinaison bimoléculaire vérifions nos hypothèses par une analyse en fonction de l'intensité lumineuse (nombre de paires électron-trous créées) et du champ électrique (vitesse de séparation des paires).

Contexte

Section :

Physique

Thème du colloque :

Physique

Hôte : Université de Sherbrooke

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