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Réduction des contraintes mécaniques dans les couches minces de tungstène pour la lithographie par rayons X

H. Lafontaine
J. Currie
Y. Diawara
A. Jean
M. Chaker
H. Pépin
HL

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H. Lafontaine

Résumé du colloque

Le tungstène est utilisé comme matériau absorbant les rayons X pour application à la lithographie X. La technologie de lithographie par rayons X est appelée à remplacer la technologie actuelle de lithographie optique. La longueur d'onde plus courte des rayons X rend ce type de rayonnement avantageux pour la production de circuits intégrés à ultra grande échelle. Toutefois, la fabrication des masques est critique du point de vue des distortions mécaniques. Afin de minimiser ces distortions, il est nécessaire de réduire au maximum les contraintes mécaniques dans le matériau servant d'absorbant à rayons X. Or, avec la technique de dépôt par pulvérisation triode, l'obtention de faibles contraintes (<10⁹ dynes/cm²) demande un contrôle draconien des conditions de dépôt. Une variation de pression de 1 mTorr fait passer la contrainte de -6 x 10⁹ à +5 x 10⁹ dynes/cm². Nous présentons ici une technique de recuits thermiques rapides (RTA) qui permet d'obtenir des couches minces de tungstène sous une contrainte inférieure à 5 x 10⁸ dynes/cm². Cette technique permet ainsi de travailler avec une plus grande latitude dans le procédé de fabrication des masques.

Contexte

Section :
Physique
news icon Thème du colloque :
Physique
host icon Hôte : Université de Montréal

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Titre du colloque :

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