Colloque

Résonances excitoniques dans les puits quantiques ultraminces InAs/InP

R. Leonelli

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R. Leonelli

Résumé du colloque

À cause de la différence entre les paramètres de maille du InAs et du InP, il n'est pas possible de faire croître des puits quantiques d'InAs de plus de quelques monocouches d'épaisseur dans une matrice d'InP. Néanmoins, l'efficacité radiative de ces puits ultraminces s'avère exceptionnellement élevée, ce qui en fait de bons candidats pour des dispositifs optoélectroniques. Les fluctuations d'épaisseur des puits ont toutefois des conséquences majeures dans ce système. Le spectre de photoluminescence d'une seule couche d'InAs peut ainsi révéler l'émission d'excitons situés dans des puits quantiques d'épaisseur différente de même qu'une émission correspondant à des excitons fortement localisés dans des points quantiques. Les positions des résonances excitoniques qui correspondent au différentes bandes d'émission peuvent être obtenues d'un même échantillon à partir de spectres d'excitation de la photoluminescence si l'on tient compte de la polarisation du faisceau excitateur. Il s'avère que les positions en énerie des résonances fondamentales ne peuvent être reproduites par des calculs de masse effective basés sur l'approximation de la fonction enveloppe. Ceci suggère que des calculs plus sophistiqués sont nécessaires pour comprendre la structure électronique des systèmes ultraminces.