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Simulation de diffraction à haute résolution de rayons-X de couches GaInP/InP sous contraintes

A. Bensaada
R.A. Masut
R.W. Cochrane
AB

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A. Bensaada

Résumé du colloque

Des couches épitaxiales de Ga_xIn_{1-x}P/InP(0 < x < 0.1) sous contraintes ont été réalisées par MOCVD à basse pression. L'étude de la diffraction des rayons-X montre des modulations d'interférence qui attestent de la haute qualité cristalline de ces structures. La simulation de ces spectres a permis l'identification de l'origine des différents pics ainsi que la caractérisation de ces couches (composition, épaisseur etc...). Les résultats indiquent une incorporation linéaire du Gallium dans la phase solide et une augmentation de l'efficacité de croissance avec la quantité de Gallium dans la phase vapeur.

Contexte

Section :
Physique
news icon Thème du colloque :
Physique
host icon Hôte : Université de Montréal

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Titre du colloque :

Physique
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Thème du colloque :

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