Communication

Simulation de la relaxation structurale du silicium amorphe

Cristiano Luis Dias

Sjoerd Roorda

Laurent Lewis

Membre a labase

Cristiano Luis Dias

Résumé de la communication

Des mesures rayons x de très haute précision ont été réalisées récemment afin de déterminer la structure du silicium amorphe (a-Si), un matériau de grande importance technologique. Ces mesures permettent de mieux comprendre, en particulier, les effets de relaxation structurale durant un recuit thermique, notamment le rôle joué par les défauts intrinsèques, dont l'existence n'est pas complètement établie. Dans le but de jeter un nouvel éclairage sur ces questions, nous avons réalisé des calculs de relaxation structurale dans un modèle de silicium amorphe. Puisque la chimie des liens est essentielle à la définition d'un défaut, les calculs ont été réalisés en employant une approche quantique, la méthode de liaisons fortes. Doublée d'un potentiel répulsif empirique, la relaxation peut alors se faire au moyen de la dynamique moléculaire. Nous présenterons dans cet exposé les premiers résultats obtenus à l'aide de ce modèle, qui tendent à soutenir l'hypothèse selon laquelle la relaxation du matériau passe par l'annihilation des défauts. Les échantillons de a-Si ont été construits en utilisant la méthode ART ("activation-relaxation technique") de Barkema et Mousseau.

Contexte

Section :

Physique

Domaine de la communication :

Physique

Hôte : Université de Montréal

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