Colloque

Simulation Monte Carlo du transport de charge dans le silicium amorphe hydrogéné (a-Si:H)

Wen Chao Chen

Louis-André Hamel

Membre a labase

Wen Chao Chen

Résumé du colloque

On présente l'étude de la formation de signal dans un détecteur de particules ionisantes, constitué d'une diode p-i-n au silicium amorphe hydrogéné (a-Si:H), en simulant la dérive des porteurs créés par une particule chargée. Le problème est similaire à l'étude de la mobilité de dérive par mesure de temps de vol sauf qu'ici, la tension appliquée est continue, menant à un champ électrique non uniforme et que les porteurs sont générés sur toute la trajectoire de la particule plutôt qu'en surface. L'approche choisie est une simulation Monte Carlo des processus de piégeage, de dépiégeage et de collection des porteurs dans un champ électrique arbitraire et une densité d'états localisés (DLS) arbitraire. On étudie d'abord une densité d'états exponentielle pour comparer les résultats à des calculs analytiques et aux données expérimentales mais on étudie aussi des densités d'états localisés plus réalistes.

Contexte

Section :

Physique

Thème du colloque :

Physique

Hôte : Université du Québec à Montréal

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