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Résumé du colloque
On développe une source impulsionnelle d’infrarouge lointain (entre 15 et 1000 micromêtres ou 0.3 et 20 THz). Son principe est basé sur la conversion optoélectronique d’un battement de fréquences par une antenne photoconductrice plane. Ce battement d’une durée de 5 à 10 picosecondes est réalisé à l’aide de deux lasers à colorant stabilisés dont les impulsions sont amplifiées à un niveau de 1 mJ. On se sert de ce faisceau pour créer des porteurs de charges à la surface d’un matériau semi-conducteur soumis à une haute tension. Étant donné la modulation temporelle de ce faisceau le matériau semi-conducteur agit comme une antenne alimentée par un courant oscillant à la fréquence du battement. On a observé des impulsions térahertz avec du silicium sur saphir et de l’arséniure de gallium poussé à froid. Les derniers résultats concernant l'émission et la détection d'infrarouge lointain par cette méthode seront présentés.
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