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Résumé du colloque
L'utilisation de lasers à semi-conducteurs dans le domaine des télécommunications et en spectroscopie haute résolution pose le problème de la stabilisation en fréquence de ces lasers dont l'émission dépend fortement des conditions d'opération : température et courant d'injection principalement. Une des méthodes de stabilisation proposées est l'utilisation de l'effet optogalvanique dont le principe est simple et qui fournit un signal de correction évident permettant de stabiliser le laser. Il est donc avantageux de disposer d'un ensemble, le plus vaste possible, de raies d'absorption bien connues et ayant un effet optogalvanique important. L'uranium, entre autres, possède ces avantages. Sa densité en niveaux d'énergie nous en convainc, son spectre d'absorption l'illustre aussi. Il est donc essentiel de bien connaître ses propriétés et ses caractéristiques. Nous avons entrepris de l'étudier par spectroscopie par Transformée de Fourier dans le domaine spectral du proche infrarouge pertinent aux lasers à semi-conducteurs. Le spectromètre utilisé est le Bom Des 24 et les cathodes creuses sont ici commerciales, soit conçues dans nos laboratoires. En premier lieu un spectre d'émission est obtenu dans différentes conditions d'opérations : courant, pression partiels et gaz rares différents. Dans ces mêmes conditions, le spectre d'absorption est obtenu, centré sur des raies d'émission de la cathode. Les résultats montrent que l'uranium est un excellent candidat pour la stabilisation des lasers à semi-conducteurs par effet optogalvanique. D'autres travaux se poursuivent avec d'autres matériaux.
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