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Résumé du colloque
Nous présenterons des résultats sur la photoluminescence de points quantiques auto-assemblés dans le système AlInAs/AlGaAs. Lorsque nous regardons la luminescence d'un grand nombre de points quantiques dans ce système ternaire, l'élargissement du spectre d'émission empêche l'observation de la structure quantique des niveaux énergétiques. Cet élargissement est supprimé en sondant un seul point quantique d'AlInAs. Ceci est réalisé par lithographie sur un échantillon optiquement actif, dans lequel des structures mésas sont fabriquées ayant des dimensions jusqu'à 100 nm de diamètre. Les points quantiques simples dans ces structures mésas peuvent être étudiés utilisant de la spectroscopie conventionnelle à T = 1.5 K dans un champ magnétique externe. Les spectres de photoluminescences à très basse excitation optique sur un certain nombre de ces mésas consistent en une seule raie spectrale associée à la recombinaison d'une paire électron-trou dans le niveau fondamental du point quantique. À plus haute intensité d'excitation, l'émission du niveau du bi-exciton est observé, nous mesurons une énergie de liaison de 5 meV, un facteur cinq fois plus élevé que dans les puits quantiques de GaAs. En plus, des complexes multi-excitoniques sont observés à plus haute intensité d'excitation. Ces atomes artificiels se trouvent à avoir des espacements ~70 meV entre les niveaux énergétiques. En champ magnétique, nous observons une séparation Zeeman de la ligne spectrale de l'exciton et du bi-exciton, confirmant ainsi la dégénérecence du spin pour le niveau énergétique fondamental. Nous allons également discuter des résultats obtenus sur des molécules artificielle d'InAs sur GaAs.
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