Colloque

Structure fine du faisceau électronique réfléchi par le W(110) et influence de l'adoption de H2

J.-M. Baribeau

J.-D. Carette

Membre a labase

J.-M. Baribeau

Résumé du colloque

Des mesures à haute résolution en énergie en angle de l'intensité du faisceau électronique réfléchi par le W(110) dans l'azimut 110 sont présentées. Pour des angles d'incidence élevés (> 65°), les profils d'intensité présentent d'étroites fluctuations reliées à l'interférence du faisceau (20). Cette structure fine connue sous le nom de résonance électronique de surface, résulte de l'interférence entre l'onde directement réfléchie par le cristal et une onde temporairement piégée entre le substrat et la barrière de potentiel de surface. Le profil de ces singularités est étudié en détail pour une cible propre et pour une cible exposée à diverses expositions d'hydrogène. Dans ce dernier cas, une modification progressive du profil avec le degré de couverture d'hydrogène est observée. Ce phénomène est attribué à un changement des caractéristiques de diffusion du substrat plutôt qu'à une transformation de la barrière de surface. L'acceptation de la structure fine avec l'exposition d'hydrogène pourrait être l'indice de l'adsorption ordonnée de ce gaz en un site interstitiel sur le W(110).

Contexte

Section :

Physique

Thème du colloque :

Physique

Hôte : Université du Québec à Montréal

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