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Résumé du colloque
Les oscillations qui apparaissent à la suite du seuil dans les spectres de pertes d'énergie des électrons (EXELFS) peuvent révéler la position des plus proches voisins du centre de diffusion dans un solide. Nous avons démarré au laboratoire des micro-structures un programme pour explorer les possibilités d'utiliser cette technique pour caractériser les matériaux semi-conducteurs en croissance par jets moléculaires. Notre effort a consisté jusqu'à maintenant à développer une méthode pour traiter le signal par transformée de Fourier et à l'appliquer à l'étude du nitrure de bore pour voir si l'on peut retrouver des résultats fragmentaires de la littérature. Cette technique s'insère dans l'observation de la structure fine des raies d'absorption des photons de haute énergie qui est solidement établie pour étudier la structure cristalline des échantillons. Bien que ce type de réaction se produise par impact électronique, l'utilité de cette technique pour la caractérisation de semi-conducteurs reste encore à être démontrée. Les mesures ont été effectuées dans un microscope électronique (TEM) à une énergie de 300 keV et plusieurs pics possiblement reliés aux distances interatomiques ont été observés.
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