Colloque

Surfaces et interfaces du carbure de silicium : étonnants nano-objets, étonnante nanochimie

Patrick Soukiassian

Membre a labase

Patrick Soukiassian

Résumé de la communication

Le carbure de silicium (SiC) est un semiconducteur IV-IV à grand gap ayant un grand intérêt pour des applications de pointe en électronique, comme matériau de structure, en nanotechnologie et biocompatibilité. Les surfaces du SiC sont étudiées par i) microscopie et spectroscopie à effet tunnel à résolution atomique (electrons/photons), ii) photoémission de niveau de cœur et de bande de valence utilisant le rayonnement synchrotron, iii) diffraction de rayons X à incidence rasante et iv) absorption infrarouge. Parmi les résultats, les quelques points suivants seront présentés et discutés : • Formation auto-organisée d’un super réseau de lignes atomiques de Si «''massivement parallèles''» très longues (>> µm) et très stables (> 900°C) • Diffusion anisotropique, formation de paires et/ou de fils d’atomes d’Ag ou de K à la surface du SiC • Architecture active de nanofils Ag/Si ayant une résistance différentielle négative (RDN) • Transition de réversible surface « semiconductrice  métallique » à 400°C • Transformation sp  sp[SUP 3] de type diamant de la surface terminée C • Transformations sp[SUP 2] de type graphite, graphène ou nanotube de carbone • Premier exemple de la métallisation de la surface d’un semiconducteur par l’hydrogène ou le deutérium avec un étonnant effet isotopique L’ensemble de ces caractéristiques sont sans précédent. Elles montrent de nouveaux aspects du SiC comme matériau très prometteur en nanoscience et pour l’interface avec la biolog

Résumé du colloque

Le professeur Patrick Soukiassian (Université de Paris-Sud/Orsay; CEA Saclay) a déjà accepté de présenter une conférence plénière sur le sujet des surfaces et sur la thématique de recherche des matériaux qui donnera le coup d’envoi au colloque. Expert de réputation internationale des processus de surfaces du carbure de silicium, il est le détenteur du prix prestigieux de « nanoscience » de 2007 par l’ICFSI.

Contexte

Section :

Processus chimiques et physiques associés aux surfaces, interfaces et nanostructures

Thème du colloque :

Processus chimiques et physiques associés aux surfaces, interfaces et nanostructures

Responsables :

Daniel Bélanger Richard Martel Peter McBreen Mario Leclrec Carlos Silva

Hôte : Institut national de la recherche scientifique

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