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Résumé du colloque
En remplacement du procédé conventionnel de synthèse du carbure de silicium qui produit en trente heures une poudre polymorphe de granulométrie étendue (0.8 < d < 85.0 μm), la technologie des plasmas est proposée. Cette technologie de synthèse par plasma d.c. qui peut atteindre des températures de 5000 à 8000 K, ce qui réduit considérablement le temps de réaction nécessaire au procédé pour synthétiser la céramique. Par ailleurs, ces courts temps de réaction, couplés à une atmosphère contrôlée et à une trempe des poudres adéquate, favorisent la formation de poudres submicroniques de β-Sic (d < 0.3 μm) fortement recherchées pour leurs propriétés au frittage. Elle permet, en outre, de contrôler la pureté du produit quant à la quantité de carbone libre, de silicium libre ou d'autres additifs de frittage ajoutés en cours de synthèse.
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