Communication

Synthèse de siliciure de cobalt par implantation ionique dans Si(100)

Ariane Verdy

Patrick Desjardins

François Schiettekatte

Membre a labase

Ariane Verdy

Résumé de la communication

Le CoSi2, de par sa faible résistivité et son paramètre de maille presque identique à celui du Si, est idéal pour la métallisation des circuits intégrés. La grande réactivité de Co rend difficile la croissance de CoSi2 de bonne qualité par recuit de Co sur Si. L’implantation ionique suivie d’un recuit thermique est une alternative prometteuse pour former des couches épitaxiales de CoSi2. Nous avons implanté des doses de Co allant de 1x1016 à 1,5x1017 cm-2 dans des substrats de Si(001) pour étudier les étapes initiales de la croissance de CoSi2. L’énergie d’implantation de 300 keV correspond à une profondeur de pénétration des ions de 270 nm. Les couches sont caractérisées en fonction des conditions d’implantation (température ambiante (RT) – 400ºC) et de recuit (Ta = 600–1100ºC). Aucun pic attribuable à un siliciure n’est observé dans les courbes de diffraction des rayons x (XRD) pour les échantillons tels qu’implantés. Les mesures de microscopie électronique en transmission montrent que le silicium est amorphisé jusqu’à une profondeur de 520 nm. Pour les échantillons implantés à RT, on observe par rétrodiffusion de Rutherford (RBS) un déplacement du profil de concentration de Co vers la surface. Le déplacement des atomes lors de la recristallisation du Si cause une contraction du profil de Co qui augmente avec Ta. Les mesures de XRD et de canalisation RBS montrent qu’il n’y a pas formation de siliciure à 600 et 800ºC. La phase CoSi2 est détectée par XRD pour Ta = 1000-1100ºC.

Contexte

Section :

Sciences et génie des matériaux

Domaine de la communication :

Sciences et génie des matériaux

Hôte : Université Laval

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Thème du communication :

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