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Résumé du colloque
Le trisulfure de hafnium HfS3 et de zirconium ZrS3 forment tous deux des cristaux semi-conducteurs et possèdent la même structure cristalline, commune à tous les trichalcogénures de métaux de transition IV B (groupe spatial C2h2). La substitution partielle du Hf par le Zr hors de la formation des monocristaux (par une méthode de transport) rend possible l'étude de l'évolution des gaps, direct et indirect, d'oxyde-1. Pour ce faire, la technique de modulation de la réflectivité optique en température a été utilisée dans une gamme s'étendant de 70K à 400 K. Combiné aux spectres de réflectivité donnant accès à la partie réelle et imaginaire de la constante diélectrique après une analyse de Kramers-Kronig, un modèle théorique nous a permis d'extraire des spectres de thermoréflectivité les énergies de transition (aux points critiques). Les énergies du gap direct ont été ainsi déterminées. Outre l'énergie des transitions interbandes, d'autres informations ressortent aussi de cette étude: le type de point critique, le paramètre d'élargissement des niveaux ainsi que l'importance relative des transitions.
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