Colloque

Transistors à effet de champ à base de graphène

Shadi Sabri

Thomas Szkopek

Jonathan Guillemette

S. A. Imam

Membre a labase

Shadi Sabri

Résumé de la communication

Nous étudions deux aspects des propriétés électroniques du graphene : l’hystérèse induite par l’emprisonnement de charges à l’interface graphene-oxyde et l’essai de nouveaux matériaux diélectriques dans le but d’améliorer la mobilité, la stabilité et la sensibilité de nos dispositifs. Les interactions entre le graphene et la surface diélectrique influencent des facteurs tels la réduction de la conduction des électrons par rapport à celle des trous, l’hystérèse et la mobilité. Un déplacement du point de neutralité et une modulation de l’hystérèse sont observés en stressant l’oxyde avec des champs électriques différents sous plusieurs conditions. Des polymères hydrophobes sans oxygène ont été utilisés comme diélectrique de grille pour régler les problèmes du déplacement du point de neutralité et de la modulation de l’hystérèse. Nous décrivons la fabrication et la caractérisation des FETs avec le parylene comme diélectrique à différentes températures et pressions. Une couche de 168 nm de parylene a été déposée sur 94 nm de SiO[SUB 2] pour permettre l’identification des échantillons de graphene exfoliés par microscopie optique. À température ambiante, des mobilités de ~10,000 cm[SUP 2]/Vs à des concentrations de 10[SUP 12] /cm[SUP 2] électrons/trous ont été observées pour des échantillons contactés de graphene. Les dispositifs à base de parylene ont démontré une stabilité au point de Dirac ainsi qu’une baisse de l’hystérèse par rapport aux échantillons de graphene sur SiO[SUB 2]

Résumé du colloque

Deux chercheurs réputés seront présents pour donner des conférences plénières. Il s'agit de Gilles Horowitz (Paris-Diderot, France), spécialiste des semi-conducteurs organiques et Jean-Christophe Charlier (Louvain-la-Neuve, Belgique), spécialiste des nanotubes de carbone.