Colloque

Transport électronique dans le Si-H amorphe par la technique de charge transitoire

P. Jacques

J.L. Brebner

D.A. Anderson

W. Paul

Membre a labase

P. Jacques

Résumé du colloque

Nous présentons des mesures de mobilité de dérive réalisées sur des alliages amorphes de Si-H obtenus par pulvérisation cathodique. Les échantillons sont évaporés à Ts = 200°C. Les concentrations en H2O et H2O2, mesurées par la technique de charge transitoire, sont analogues à celles obtenues sur des échantillons évaporés entre 15 et 45°C. L'étude porte sur l'intervalle de température de 225K < T < 425K. Des porteurs sont induits par un faisceau pulsé de 1 à 2 µs balayant à travers l'échantillon par des champs électriques allant jusqu'à 150KV cm-1. Les temps de relaxation transitoires créés par le mouvement de ces porteurs sont enregistrés à l'aide d'un oscilloscope à mémoire. Les résultats sont interprétés en termes de diffusion et de recombinaison des porteurs. Une interprétation est faite en termes d'hétérogénéités récentes en transport dispersif.

Contexte

Section :

Physique

Thème du colloque :

Physique

Hôte : Université Laval

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