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Résumé du colloque
L'examen non destructif des circuits intégrés relève traditionnellement du domaine de la microscopie optique. Cependant, les progrès récents des techniques lithographiques permettent de produire des structures dont les dimensions caractéristiques sont de l'ordre du micromètre. La vérification de la qualité topographique de telles microstructures exige l'emploi du microscope électronique à balayage (MEB). En réalité, la nature non destructrice du contrôle de la qualité des circuits intégrés donne cours de fabrication impose des exigences sérieuses sur le MEB. Nous présentons une description générale de notre instrument et quelques résultats expérimentaux reliés à sa performance comme MEB destiné au contrôle de la qualité des micro-structures. Nous donnons aussi un aperçu des nouveaux développements qui ont permis d'améliorer la performance de l'appareil. En particulier, un faisceau d'électrons dont l'énergie varie entre 300 eV et 2 KeV permet de réduire considérablement l'accumulation des charges sur les parties isolantes des structures à inspecter. Ceci est dû à l'exploitation des propriétés particulières de l'émission secondaire des matériaux isolants dans ce domaine d'énergie. Grâce à l'utilisation d'une lentille magnétique, ainsi que tous les coefficients d'aberration ont été minimisés pour ce domaine de basse énergie, il est maintenant possible d'examiner des échantillons d'une épaisseur de 150 nm inclinés à 45 degrés.
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