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Résumé du colloque
L'interaction des électrons avec la matière fournit de précieux renseignements dans la caractérisation de surfaces et de l'interface gaz adsorbés sur ces dernières. Parmi ces phénomènes, la diffraction d'un faisceau d'électrons provoque l'apparition d'un patron de franges de taches reliées aux propriétés de symétrie dans l'organisation des atomes substrat et de l'homogénéité des niveaux énergétiques des états de revêtement. Deux de ces techniques sont : la diffraction des électrons lents (DEL) et des électrons rapides (DER). La DER est plus particulièrement sensible aux substrats, car elle utilise les faisceaux de hautes énergies (5 à 15 keV) à incidence rasante. À l'inverse, la DEL étudie les électrons rétrodiffusés de basse énergie (10-200 eV) qui sont plus propres à renseigner sur les gaz adsorbés. Nous décrivons un appareil où ces deux techniques sont intégrées pour l'étude des états et revêtements de surface en ultravide. Des facilités y sont prévues pour l'introduction d'autres fonctions, telles que la spectrométrie Auger, de perte d'énergie, etc. L'ensemble est pourvu d'une optique électronique entièrement électrostatique.
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